Cara Pembuatan Program LabVIEW 7.1

Langkah-langkah pembuatan program menggunakan bahasa pemrograman LabVIEW 7.1. terdiri dari dua tahap yaitu Tahap Inisialisasi dan  Tahap Kalibrasi. Berikut langkah-langkahnya :

A. Tahap Inisialisasi 

Tahap inisialisasi bertujuan untuk menghubungkan LabVIEW dengan perangkat keras akuisisi data yaitu DAQ USB NI-6009 dan mengeset tegangan input perangkat keras akuisisi data agar sesuai dengan tegangan keluaran dari sensor.  Prosedur melakukan inisialisasi dalam pemrograman LabVIEW adalah sebagai berikut:

·  Buka program LabVIEW7.1 kemudian pilih New >> VI from Template >> DAQ>> Data Acquisition with NI-DAQmx.  Klik tombol OK sehingga muncul Front Panel kosong seperti Gambar A.1.

·   Tekan Ctrl+E untuk memunculkan blok diagram (Gambar A.2) kemudian klik dua kali komponen DAQ Assistance untuk inisialisasi input.  Pilih Analog Input >>Voltage >>Supported Physical Channels >>ai0 kemudian klik Finish hingga muncul kotak dialog konfigurasi seperti Gambar A.3.  Pada bagian Signal Input Range isi dengan 10 untuk nilai maksimum dan -10 untuk nilai minimum, sedangkan pada bagian Task Timing pilih 1 Sample (On Demand).

 Gambar A.1.. Tampilan Front Panel awal.

Gambar A.2. Blok Diagram awal

Gambar A.3. Kotak dialog konfigurasi

·    Tambahkan komponen Numeric Indicator dengan cara klik kanan pada area Front Panel kemudian pilih Numeric Indicators >> Num Ind kemudian pada blok diagram hubungkan DAQ Assistance ke komponen tersebut (Gambar A.4) untuk menampilkan nilai tegangan keluaran dari sensor.

Gambar A.4. Menghubungkan DAQ Assistance ke komponen Num Ind

Tahap Perekaman

• Klik kanan pada area blok diagram pilih Output>>Write LabVIEW Measurement File, hubungkan komponen tersebut ke komponen Chart
• Tambahkan juga komponen Push Button untuk tombol mulai/stop perekaman
• Pada front panel klik kanan >>Buttons & Switches >>Push Button

GambarA.5 komponen perekaman

Periode pengambilan data

• Klik kanan pada blok diagram pilih All Functions>>Time & Dialog >>Wait Until Next ms Multiple
• Klik kanan pilih Arithmatic & Comparison>>Express Numeric>> Multiply
• Klik kanan pada blok diagram pilih Arithmatic & Comparison>> Express Numeric>>Numeric Const ketik Num Const dengan angka 1000

GambarA.6 komponen periode

          B. Tahap Kalibrasi

Kalibrasi dalam pemprograman LabVIEW dilakukan seperti Gambar A.8.  Langkah pembuatan program untuk tahap kalibrasi adalah sebagai berikut:

·        Klik kanan pada area blok diagram kemudian pilih Arithmetic& Comparison >> Formula. Maka akan muncul tampilan seperti gambar A.7  

·        MAsukkan Persamaan kalibrasi kemudian hubungkan input X1 ke sinyal masukan dari DAQ.

Gambar A.7. Persamaan kalibrasi

·         Untuk menampilkan hasil kalibrasi dalam bentuk grafik tambahkan komponen Chart dengan cara klik kanan pada area Front Panel kemudian pilih Graph Indicators >> Chart.   kemudian hubungkan ke komponen Result.

·        Atur properti komponen Chart dan Tank yaitu Scale >>Y-Axis >> minimum: 0 dan maximum: 60.

Gambar A.8. Pemrograman pada tahap kalibrasi

Gambar A.9 Font Panel program

Selamat mencoba....!!! Info selengkapnya silahkan tulis komentar Anda.

Read More

Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr0,625Ti0,375O3 (PZT)

Abstrak

Bahan ferroelektrik mempunyai kegunaan yang sangat luas, antara lain sebagai mikroaktuator (dari sifat piezoelektriknya), sebagai kapasitor untuk DRAM (Dynamic Random Access Memory) (dari sifat permitivitas dan polarisabilitas yang tinggi), dan untuk sensor infra merah (dari sifat pyroelektrik). Salah satu bahan ferroelektrik tersebut adalah PbZr1-xTixO3 (PZT), yang dapat pula bersifat piezoelektrik dan pyroelektrik. Dalam penelitian ini dikaji efek annealing dari penumbuhan film tipis PbZr0,625Ti0,375O3 (PZT) yang menggunakan metode dc unbalanced magnetron sputtering. Film tipis ferroelektrik PbZr0,625Ti0,375O3 (PZT) dideposisi pada temperatur substrat 5500C-6500 C di atas substrat kristal silikon (100) pada kondisi annealing dan tanpa annealing. Aliran gas yang digunakan Ar/O2 = 50 : 10, tekanan awal 0,051 Torr, dan tekanan deposisi 1,3 Torr. Untuk kondisi annealing menggunakan temperatur 6500C pada tekanan 0,58 Torr. Dari hasil XRD diketahui bahwa dengan annealing orientasi kristal film tipis akan semakin teratur. Beberapa orientasi kristal yang muncul pada film dengan perlakuan tanpa annealing akan hilang setelah dilakukan annealing. Hal ini dapat dilihat juga pada morfologi bentuk butiran (grain) polikristal PZT dari hasil karakterisasi SEM.

Kata Kunci : PZT, film tipis, annealing, sputtering

1. Ngurah Ayu Ketut Umiati1,2, Irzaman1,3, Maman Budiman1 dan M. Barmawi1

1Laboratorium Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB

2Jurusan Fisika FMIPA UNDIP, Semarang

3Jurusan Fisika FMIPA IPB, Bogor

Read More

Penumbuhan Film Tipis Berbaris Bahan Pyroelektrik PbZr1-xTixO3 Dengan Metode Spin Coating dan Penerapannya Sebagai Sensor Inframerah

Perpustakaan Universitas Indonesia >> UI - Laporan Penelitian

Peneliti Utama : Dr. Muhammad Hikam

Abstrak -- Pendahuluan Pada Penelitian RUT IX tahun I, telah dilakukan penumbuhan film tipis pyroelektrik PbZro.525Ti0,475O3 (PZT) dengan teknik spin coating dan karakterisasinya mencakup struktur mikro dengan teknik XRD, morfologi permukaan dengan teknik SEM, nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang tcrperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter serta nilai konduktivitas bahan dengan teknik I-V meter. Struktur kristal dari bulk dan film tipis PZT telah dipelajari secara mendalam dengan mengolah data XRD yang dilakukan pada Lab. XRD program studi Ilmu Material UI Salemba untuk memperoleh nilai konstanta kisi, Full width Half Maximum (FWHM) kristal dan ukuran butiran (grain size). Nilai polarisasi spontan dari PZT jugs dikaji secara teoritis. Struktur film tipis pyroeletrik yang dikembangkan berbentuk MOS (Metal = alumunim; Oksida = PZT; Semikonduktor = Si) dan kapasitor keping sejajar MOM (Metal = alumunium; Oksida = PZT; Metal = Platinum) dengan luas keping elektrode antara 0,25 mm2 - 1 mm2. 1.2. Permasalahan Pembuatan kapasitor berfungsi sebagai penyimpan muatan. Kapasitor memerlukan bahan ferroelektik dan pyroelektrik sebagai bahan dielektrik. Bahan pyroelektrik PZT yang dikaji dalam penelitian ini sangat sesuai sebagai bahan dielektrik kapasitor memori. Keunggulan pyroelektrik PZT adalah karena memiliki tetapan dielektrik yang cukup tinggi. Bahan ferroeletrik dan pyroelektrik PZT ini dapat terpolarisasi secara spontan dengan membalik arah medan listrik yang dikenakan pada bahan PZT. Masalah yang ada pada bahan ferroelektrik dan pyroelektrik PET adalah masih tingginya tingkat kebocoran arus. Mekanisme kebocoran arus pada bahan ferroelektrik disebabkan oleh kekosongan oksigen. Untuk menghindari masalah ini dilakukan penambahan kadar oksigen pada waktu melakukan proses annealing film tipis. Masalah yang dikaji dalam penelitian ini adalah :

1. mengoptimalisasi parameter penumbuhan film tipis PbZru,s3'Eiu,4703 di atas subtrat Si (100) dan Si(E00)/SiO21TiO2IPt (200) dengan metode Spin Coatiiig.

2. mempelajari karakterisasi film tipis PbZro,52sTia,47503 melalui pengujian struktur permukaan film tipis dengan difraksi sinar-X (XRD) dan SEMIEDAX, uji sifat listrik berupa resistiuilas dan konduktivitas dengan I-V meter, serta uji nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang terperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter

Read More

Studi penumbuhan film tipis cupc dengan metode penguapan hampa udara pada suhu ruang untuk aplikasi sensor gas

Sujarwata -- Perpustakaan Universitas Indonesia >> Laporan Penelitian -Dikti

Abstrak -- Penumbuhan film tipis CuPc di atas substrat SiO2 dengan metode penguapan hampa udara (Model JEOL JEE-4X) telah dilaksanakan. Aktivitas ini merupakan langkah awal untuk mengembangkan sensor gas berbasis CuPc. Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan 2 variabel penelitian, yaitu waktu deposisi dan kuat arus pada alat vacuum evaporator. Karakteristik film tipis CuPc telah dianalisis didasarkan pada struktur mikro dengan menggunakan X-Ray Diffraction (X-RD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Selanjutnya hasil X-RD untuk masing-masing sample telah dianalisis oleh ICDD ((International Centre for Diffraction Data). Pada sisi lain, permukaan dan ketebalan film tipis CuPc dianalisis dengan gambar hasil dari SEM. Hasil spektrum dari X-RD diperoleh bahwa film CuPc dideposisikan dengan kuat arus 35 A 50 A menunjukkan adanya peningkatkan kristal dalam film tipis CuPc. Hasil dari SEM diperoleh bahwa penumbuhan film tipis CuPc dengan kuat arus 35 A menunjukkan suatu permukaan lembut. Sedangkan butiran pada film tipis nampak dengan jelas ketika film tipis dideposisikan dengan kuat arus 40 A dan 55 A. Ketebalan film tipis CuPc yang dideposisikan dengan pengaturan kuat arus 40 A, 45 A dan 50 adalah berturut-turut 2,1 μm, 2,4 μm dan 4,8 μm. Film tipis CuPc yang didasarkan pada hasil deposisi dapat dikatakan bahwa film dengan pengaturan kuat arus 45 A pada alat penguapan hampa udara merupakan karakteritik optimum yang pertama .Kesimpulan yang diperoleh adalah film tipis CuPc dengan ketebalan akan meningkat, jika kuat arus yang diaplikasikan pada alat penguapan ruang hampa juga ditingkatkan. Pembuatan OFET berbasis CuPc dilakukan dengan membuat struktur bottomcontact. Proses diawali dengan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner. Untuk struktur bottom-contact, setelah dilakukan pencucian substrat selanjutnya mendeposisikan elektroda source/drain di atas lapisan SiO2 menggunakan bahan emas murni dengan metode litografi.

Read More

PENGARUH TEKANAN GAS ARGON PADA PENUMBUHAN FILM TIPIS Ga2O3 DOPING Mn DENGAN MENGGUNAKAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING

UMI WIDURI

JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG 2007

ABSTRAK

Galium oksida (Ga2O3) merupakan bahan semikonduktor dengan celah pita energi lebar (Eg = 4,8 eV) berpotensi untuk aplikasi devais elektronik dan optoelektronik. Material Ga2O3 secara ekstensif telah digunakan untuk aplikasi sebagai luminescent phosphor. Ga2O3 didoping dengan Mn menampilkan luminesensi hijau. Mn merupakan salah satu unsur transisi yang berpotensi untuk aplikasi fosfor luminesensi, karena Mn memiliki “excellent luminescent center”. Gas argon murni (kemurnian 99,99%) digunakan sebagai salah satu parameter penumbuhan yang berfungsi sebagai gas sputtering yang mengalami proses ionisasi dan membentuk plasma. Tujuan penelitian menumbuhkan dan mempelajari struktur dan sifat optik film tipis Ga2O3:Mn dengan variasi tekanan gas argon. Film tipis Ga2O3:Mn telah ditumbuhkan di atas substrat Si (100) dengan metode dc magnetron sputtering. Film ditumbuhkan dengan tekanan gas argon dan jumlah fraksi mol Mn yang divariasikan. Karakteristik XRD menunjukkan penambahan tekanan gas argon pada penumbuhan film tipis Ga2O3:Mn tidak menampakkan perubahan struktur kristal film yang signifikan. Struktur kristal kedua sampel (PAr = 550 mTorr dan 600 mTorr) menunjukkan fase monoklinik dengan orientasi bidang (11). Sampel pada tekanan 550 mTorr memiliki FWHM lebih kecil, intensitas lebih tinggi dan kualitas kristal lebih baik. Karakterisasi sifat optik film tipis Ga−72O3:Mn menggunakan photoluminesence (PL) dengan eksitasi panjang gelombang 220 nm. Penambahan fraksi mol Mn dalam film tipis Ga2O3 dapat meningkatkan intensitas fotoluminesensi film dan beorientasi pada daerah panjang gelombang hijau dengan rentang antara 490-496 nm. Pergeseran puncak fotoluminesensi ke panjang gelombang lebih pendek (Eg lebih besar) dipengaruhi oleh medan kristal dan lebar bandgap. Ion Mn2+ memiliki medan kristal lemah yang mengemisikan warna hijau. Kehadiran atom Mn pada ikatan Ga-O menjadi renggang dan bandgap menjadi tegang, sehingga celah pita energi dari spektrum fotoluminesensi semakin besar. Mn deep impuritas membuat pita impuritas (Mn acceptor) terdistribusi menuju dan mendekati pita valensi atau pita konduksi, sehingga energi gap menjadi semakin lebar. Penambahan tekanan gas argon pada penumbuhan film tipis Ga2O3:Mn dengan fraksi mol Mn yang sama meningkatkan ketebalan dan orientasi kristal lebih homogen sehingga intensitas luminesensi film bertambah tinggi. Penambahan tekanan gas argon mempengaruhi tingkat intensitas luminesensi film, tapi tidak mempengaruhi daerah puncak panjang gelombang emisinya, yaitu emisi hijau. Puncak panjang gelombang untuk fraksi mol 5% adalah ±491 nm (2,53 eV) dan fraksi mol 2% adalah ±494 nm (2,52 eV).

Kata kunci: Ga2O3:Mn, tekanan gas argon, sifat optik photoluminescence

Read More

RANCANG BANGUN DAN ANALISIS PERANGKAT TELEMETRI SUHU DAN CAHAYA ENGGUNAKAN AMPLITUDE SHIFT KEYING (ASK) BERBASIS PC

SUYAMTO*, YUSUF AZIZ AMRULLAH**, RUSDANI ADE SAPUTRA**

*Sekolah Tinggi Teknologi Nuklir-BATAN

**Teknik Elektro, Fakultas Teknologi Industri, UII, Yogyakarta

Abstrak - Telah dilakukan pembuatan alat ukur jarak jauh suhu dan intensitas cahaya menggunakan Amplitude Shift Keying (ASK). Sehubungan dengan tuntutan kebutuhan pengukuran kondisi lingkungan yaitu agar semakin praktis, banyak digunakan ASK untuk pengukuran jarak jauh. ASK digunakan sebagai penghubung antara perangkat sensor dengan komputer atau LCD sebagai alat penampil. Perangkat keras yang digunakan dalam rancang bangun ini terdiri dari sensor suhu dan sensor cahaya, pengkondisi isyarat, ADC, mikrokontroler, ASK pengirim dan penerima serta sistem catu daya. Sedangkan untuk sistem penampil pada komputer digunakan program Borland Delphi 7.0. Dari pengujian yang telah dilakukan menunjukkan bahwa ASK dapat digunakan sebagai penghubung antara sensor suhu dan sensor cahaya dengan komputer. Besarnya suhu ruangan yang dapat ditampilkan pada komputer adalah 15 - 50 derajat Celcius dengan keluaran sensor 0,15 - 0,50 V.

Besarnya intensitas cahaya yang dapat diukur dan ditampilkan pada komputer adalah 4 – 1500 lumens, dimana saat nilainya 4 lumens menunjukan kondisi ruangan gelap dengan keluaran sensor 4.92 V dan saat nilainya 1500 lumens, kondisi ruangan terang sekali dengan keluaran sensor 0,65 V. Penggunaan ASK sebagai pengirim dan penerima data sangat sulit dilakukan karena dalam proses transmisi sering terdapat gangguan dari luar khususnya gangguan frekuensi interference. Waktu pengiriman data dari transmitter ke receiver membutuhkan waktu 20 detik dengan jarak antara transmitter dan receiver sejauh 60 cm dengan frekuensi span antara 0,5 -10 MHz/div.

Kata kunci : sensor suhu dan cahaya, telemetri, ASK, mikrokontroler

Untuk info download jurnal selengkapnya silahkan tuliskan komentar anda.

Read More

Pengukuran Panjang pada Benda Bergerak Berbasis PC (Personal Computer) dengan fototransistor

Susilowati, 2006, 

Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang. 

ABSTRAK - Telah dilakukan rancang bangun pengukuran panjang pada benda begerak berbasis PC (Personal Computer) dengan fototransistor. Fototransistor adalah sebuah detektor cahaya yang merupakan kombinasi fotodioda dan penguat transistor, dan dalam penelitian ini digunakan untuk mendeteksi panjang suatu benda. Proses pengukuran panjang pada benda bergerak diawali dengan benda yang dijalalnkan oleh konveyor dengan motor stepper sebagai penggeraknya. Motor stepper adalah perangkat elektro mekanis yang bekerja dengan mengubah pulsa elektronis menjadi gerakan mekanis diskrit. Untuk memberi pulsa-pulsa pembangkit supaya motor dapat berjalan maka diperlukan mikrokontroler. Diantara konveyor dipasangkan inframerah dengan sensor fototransistor.

Sensor fototransistor akan mengubah cahaya yang masuk menjadi besaran listrik. Dan jika dirangkaikan dengan pengkondisi sinyal maka akan didapatkan keluaran logika yang mantap. Hasil perubahan logika akan dimasukan ke port status pada port printer. Data yang masuk ke PC akan dikendalikan atau dikontrol dengan program Delphi yang hasilnya adalah waktu. Dengan mengalikan kecepatan jalannya konveyor dengan waktu maka akan didapat hasil pengukuran dan ditampilkan sebagai nilai panjang.  Pengukuran panjang pada benda bergerak berbasis PC dengan fototransistor dikalibrasi dengan menggunakan jangka sorong. Kesalahan pengukuran panjang mencapai 5.05 %. Dalam proses kalibrasi terdapat ketidak

tepatan alat ukur yang dibuat. Hal ini dikarena  beberapa faktor antara lain kecepatan motor tidak tepat konstan, tingkat penerimaan data dari rangkaian atau hardware ke PC dimungkinkan terjadi keterlambatan pembacaan. 

Kata Kunci: Pengukur panjang, Fototransistor, Motor stepper, Mikrokontroler, Personal Computer.

Untuk info lebih lanjut silahkan tulis komentar anda pada kolom di bawah.

Read More