Studi penumbuhan film tipis cupc dengan metode penguapan hampa udara pada suhu ruang untuk aplikasi sensor gas

Sujarwata -- Perpustakaan Universitas Indonesia >> Laporan Penelitian -Dikti

Abstrak -- Penumbuhan film tipis CuPc di atas substrat SiO2 dengan metode penguapan hampa udara (Model JEOL JEE-4X) telah dilaksanakan. Aktivitas ini merupakan langkah awal untuk mengembangkan sensor gas berbasis CuPc. Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan 2 variabel penelitian, yaitu waktu deposisi dan kuat arus pada alat vacuum evaporator. Karakteristik film tipis CuPc telah dianalisis didasarkan pada struktur mikro dengan menggunakan X-Ray Diffraction (X-RD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Selanjutnya hasil X-RD untuk masing-masing sample telah dianalisis oleh ICDD ((International Centre for Diffraction Data). Pada sisi lain, permukaan dan ketebalan film tipis CuPc dianalisis dengan gambar hasil dari SEM. Hasil spektrum dari X-RD diperoleh bahwa film CuPc dideposisikan dengan kuat arus 35 A 50 A menunjukkan adanya peningkatkan kristal dalam film tipis CuPc. Hasil dari SEM diperoleh bahwa penumbuhan film tipis CuPc dengan kuat arus 35 A menunjukkan suatu permukaan lembut. Sedangkan butiran pada film tipis nampak dengan jelas ketika film tipis dideposisikan dengan kuat arus 40 A dan 55 A. Ketebalan film tipis CuPc yang dideposisikan dengan pengaturan kuat arus 40 A, 45 A dan 50 adalah berturut-turut 2,1 μm, 2,4 μm dan 4,8 μm. Film tipis CuPc yang didasarkan pada hasil deposisi dapat dikatakan bahwa film dengan pengaturan kuat arus 45 A pada alat penguapan hampa udara merupakan karakteritik optimum yang pertama .Kesimpulan yang diperoleh adalah film tipis CuPc dengan ketebalan akan meningkat, jika kuat arus yang diaplikasikan pada alat penguapan ruang hampa juga ditingkatkan. Pembuatan OFET berbasis CuPc dilakukan dengan membuat struktur bottomcontact. Proses diawali dengan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner. Untuk struktur bottom-contact, setelah dilakukan pencucian substrat selanjutnya mendeposisikan elektroda source/drain di atas lapisan SiO2 menggunakan bahan emas murni dengan metode litografi.

Posted in: Pembuatan Film Tipis