PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

OLEH : ROHADIANA DWI NOFIANTI (JURUSAN FISIKA UNNES) Gallium nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor yang memiliki celah pita energi lebar (3,4 eV) dengan sifat direct band gap yang berpotensi untuk membuat piranti optoelektronik seperti LED (light mitting diode), LD (laser diode) dan detektor UV (ultra violet). Film tipis GaN ditumbuhkan...

Read More

MIKROSTRUKTUR LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GALIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN MENGGUNAKAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION DENGAN VARIASI LAJU SPIN COATER

Oleh : Nofi Marlini ABSTRAK : Lapisan tipis galium nitrida (GaN) telah dideposisikan di atas substrat Si menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) melalui teknik spin coating. Dalam penelitian ini, variasi laju putar spin coating dikaji pengaruhnya terhadap grain size, ketebalan serta kekasaran permukaan lapisan tipis GaN hasil...

Read More