Penumbuhan Lapisan Tipis Berbasis In2O3 dengan Teknik MOCVD: Kajian Awal Karakteristik Transparansi Optik In2O3:Ti (ITiO)

Penulis : Hasniah Aliah, Horasdia Saragih, Euis Sustini, Mikrajuddin Abdullah

Abstrak : Telah dilakukan penumbuhan lapisan tipis In2O3 dan ITiO dengan teknik MOCVD menggunakan prekursor metal organic In(TMHD)3.dan TTIP. Penumbuhan ini dilakukan untuk mengkaji pengaruh temperatur substrat terhadap karakteristik transparansi optik lapisan tipis In2O3 dan pengaruh pendadahan In2O3 dengan elemen Ti terhadap karakteristik transparansi optik lapisan tipis ITiO. Parameter-parameter penumbuhan: temperatur bubbler In(TMHD)3 sebesar 200°C; tekanan di dalam bubbler adalah 260 torr; laju aliran gas Ar dan O2 masing-masing sebesar 50 sccm. Diperoleh hasil bahwa temperatur penumbuhan berpengaruh tapi tidak begitu besar terhadap transparansi optik lapisan tipis In2O3 dan penambahan doping Ti mengubah pola transparansi optik material In2O3. Hasil-hasil ini masih perlu dikaji lebih lanjut dan kompehensif dengan menyelidiki kondisi optimum masing-masing parameter dalam penumbuhan material berbasis In2O3.

Kata Kunci : In2O3, ITiO, MOCVD, transparansi optik, elemen pendadah Ti,
Untuk info selengkapnya silahkan tulis komentar anda.

Posted in: Pembuatan Film Tipis