Abstrak
Bahan ferroelektrik mempunyai kegunaan yang sangat luas, antara lain sebagai mikroaktuator (dari sifat piezoelektriknya), sebagai kapasitor untuk DRAM (Dynamic Random Access Memory) (dari sifat permitivitas dan polarisabilitas yang tinggi), dan untuk sensor infra merah (dari sifat pyroelektrik). Salah satu bahan ferroelektrik tersebut adalah PbZr1-xTixO3 (PZT), yang dapat pula bersifat piezoelektrik dan pyroelektrik. Dalam penelitian ini dikaji efek annealing dari penumbuhan film tipis PbZr0,625Ti0,375O3 (PZT) yang menggunakan metode dc unbalanced magnetron sputtering. Film tipis ferroelektrik PbZr0,625Ti0,375O3 (PZT) dideposisi pada temperatur substrat 5500C-6500 C di atas substrat kristal silikon (100) pada kondisi annealing dan tanpa annealing. Aliran gas yang digunakan Ar/O2 = 50 : 10, tekanan awal 0,051 Torr, dan tekanan deposisi 1,3 Torr. Untuk kondisi annealing menggunakan temperatur 6500C pada tekanan 0,58 Torr. Dari hasil XRD diketahui bahwa dengan annealing orientasi kristal film tipis akan semakin teratur. Beberapa orientasi kristal yang muncul pada film dengan perlakuan tanpa annealing akan hilang setelah dilakukan annealing. Hal ini dapat dilihat juga pada morfologi bentuk butiran (grain) polikristal PZT dari hasil karakterisasi SEM.
Kata Kunci : PZT, film tipis, annealing, sputtering
1. Ngurah Ayu Ketut Umiati1,2, Irzaman1,3, Maman Budiman1 dan M. Barmawi1
1Laboratorium Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB
2Jurusan Fisika FMIPA UNDIP, Semarang
3Jurusan Fisika FMIPA IPB, Bogor
Postingan
0 komentar:
Posting Komentar