
OLEH : ROHADIANA DWI NOFIANTI (JURUSAN FISIKA UNNES)
Gallium nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor yang memiliki celah pita energi lebar (3,4 eV) dengan sifat direct band gap yang berpotensi untuk membuat piranti optoelektronik seperti LED (light mitting diode), LD (laser diode) dan detektor UV (ultra violet). Film tipis GaN ditumbuhkan...